标准号：GB/T 29332-2012 有效

中文名称：半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT)

英文名称：Semiconductor devices - Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors(IGBT)

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被代替标准

代替标准

被采用标准

IEC 60747-9-2007(等同)

采用标准

引用标准

IEC 60747-2(不注日期引用) IEC 60747-6(不注日期引用) IEC 61340(不注日期引用) IEC 60747-1-2006(注日期引用)

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修订记录

标准摘要

本标准给出了绝缘栅双极晶体管(IGBT)的术语、文字符号、基本额定值和特性以及测试方法等产品特定要求。

归口单位

全国半导体器件标准化技术委员会

主管部门

工业和信息化部（电子）

执行单位

全国半导体器件标准化技术委员会

起草单位

本标准起草单位:西安电力电子技术研究所、西安爱帕克电力电子有限公司、英飞凌科技(中国)有限公司、威海新佳电子有限公司、江苏宏微科技有限公司。

起草者

标准主要起草人:蔚红旗、张立、陈子颖、乜连波、王晓宝、秦贤满。

简评

备注