标准详情

标准号:GB/T 43894.1-2024 有效

中文名称:半导体晶片近边缘几何形态评价 第1部分:高度径向二阶导数法(ZDD)

英文名称:Practice for determining semiconductor wafer near-edge geometry—Part 1:Measured height data array using a curvature metric(ZDD)


标准组织

【GB】 中国国家标准

CCS分类

【H21】 金属物理性能试验方法

ICS分类

【77.040】 金属材料试验

发布日期

2024-04-25

实施日期

2024-11-01

废止日期


被代替标准
代替标准
被采用标准
采用标准
引用标准

修订记录
标准摘要
本文件描述了一系列高度径向二阶导数法(ZDD)评价半导体晶片的近边缘几何形态的方法。 本文件适用于硅抛光片、硅外延片、SOI订片及其他带有表面层的圆形晶片,也用于其他半导体材料圆形晶片近边缘几何形态的评价。 注:目前该方法主要用于直径300mm的硅片。
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会
主管部门
国家标准化管理委员会
执行单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
起草单位
山东有研半导体材料有限公司、浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司、金瑞泓微电子(嘉兴)有限公司、中环领先半导体材料有限公司、广东天域半导体股份有限公司、鸿星科技(集团)股份有限公司
起草者
王玥、朱晓彤、孙燕、宁永铎、徐新华、徐国科、李春阳、张海英、陈海婷、丁雄杰、郭正江
简评
备注